2020-3-9?·?【嘉德點(diǎn)評(píng)】武漢新芯提出的閃存器件制作方法中,避免了由于光刻膠圖形化造成的缺陷,并且降低了生產(chǎn)成本,同時(shí)提高了浮柵的均一性。 集微網(wǎng)消息,新冠肺炎的影響導(dǎo)致武漢一直處于封城狀態(tài),也勢(shì)必會(huì)影響到武漢三大晶圓廠之一的武漢新芯的運(yùn)營(yíng)情況,目前武漢新芯已經(jīng)下調(diào)了季度NOR ...,2015-12-13?·?安徽大學(xué)碩士學(xué)位論文 復(fù)合多晶硅柵MOSFET直流與交流特性模擬研究 姓名：李俊生 申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士 專(zhuān)業(yè)：電路與系統(tǒng) 指導(dǎo)教師：陳軍寧；代月花 2010-05 摘要 摘要近十年來(lái),隨著射頻集成電路的研究得到了巨大的發(fā)展,在無(wú)線通信、醫(yī) 療 ...

2013-6-4?·?4結(jié)論本文提供了一種制作可調(diào)光柵的方法.首先利用紫外光刻的方法制造出光柵,再利用PDMS優(yōu)異的彈性,運(yùn)用拉伸的方法實(shí)現(xiàn)光柵常數(shù)的可調(diào)諧,采用此種方法制作的可調(diào)光柵成本低.操作簡(jiǎn)單.制作周期短,可廣泛應(yīng)用于微型光譜儀.掃描儀.光通訊等領(lǐng)域中.,2020-1-21?·?電子元件 知識(shí)——電阻器 電阻：導(dǎo)電體對(duì)電流的阻礙作用稱(chēng)為電阻,用符號(hào)R表示,單位為歐姆、千歐、兆歐,分別用Ω、KΩ、MΩ表示。 電阻的型號(hào)命名方法：國(guó)產(chǎn)電阻器的型號(hào)由四部分組成（不適用敏感電阻）①主稱(chēng) ②材料 ③分類(lèi) ④序號(hào)

2018-12-14?·?透射電鏡對(duì)樣品的要求 1. 樣品一般應(yīng)為厚度小于100nm的固體。 2. 樣品在電鏡電磁場(chǎng)作用下不會(huì)被吸出,附于極靴上。 3. 樣品在高真空中能保持穩(wěn)定。 4. 不含有水分或其它易揮發(fā)物,含有水分或其他易揮發(fā)物的試樣應(yīng)…,2011-3-22?·?本發(fā)明涉及一種透光混凝土制品坯料的制作設(shè)備及方法,屬于裝飾材料技術(shù)領(lǐng)域,該設(shè)備和工裝主要包括由固定在機(jī)座上的驅(qū)動(dòng)及傳動(dòng)裝置、主軸及其支座、回轉(zhuǎn)桿和送絲機(jī)構(gòu)組成的繞絲機(jī),由兩根豎梁和兩根橫梁連接成的扁四邊框架的繞絲架,由四塊模板組成的澆注模具；繞絲架的豎梁與繞絲機(jī)的 ...

近年來(lái),各種各樣的電子產(chǎn)品已經(jīng)在工業(yè)、農(nóng)業(yè)、國(guó)防和日常生活中得到了廣泛的應(yīng)用。伴隨著電子科學(xué)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,使得微電子工業(yè)發(fā)展迅猛,這很大程度上是得益于微電子封裝技術(shù)的高速發(fā)展。當(dāng)今全球正迎來(lái)以電子計(jì)算機(jī)為核心的電子信息技術(shù)時(shí)代,隨著它的發(fā)展,越來(lái)越要求電子產(chǎn)品要 ...,2017-12-7?·?透射電鏡對(duì)樣品的要求1. 樣品一般應(yīng)為厚度小于100nm的固體。2. 樣品在電鏡電磁場(chǎng)作用下不會(huì)被吸出,附于極靴上。3. 樣品在高真空中能保持穩(wěn)定。4. 不含有水分或其它易揮發(fā)物,含有水分或其他易揮發(fā)物的試樣應(yīng)先烘干。TEM樣品常放置在直徑為 ...

2014-5-27?·?現(xiàn)在葡萄架的設(shè)計(jì)自重在12000kg一30000kg 范圍內(nèi),通過(guò)采用輕質(zhì)高強(qiáng)的 材料,降低葡萄架的自重；采用優(yōu)化設(shè)計(jì)的方法,利用有限元分析方法,取得 接近實(shí)際受力的力學(xué)模型,進(jìn)行變截面設(shè)計(jì),節(jié)約更多的材料,降低成本；對(duì)高 強(qiáng)螺栓連接組件進(jìn)行改進(jìn),2014-11-19?·?一種溝槽柵igbt芯片的制作方法 【摘要】本發(fā)明提供了一種溝槽柵IGBT芯片,包括：位于襯底表面上方的多晶硅層和柵極區(qū),所述襯底與所述多晶硅層之間通過(guò)絕緣層隔離；其中,所述多晶硅層包括多晶硅子層和多晶硅子層；所述多晶硅子層用于將常規(guī)柵極對(duì)應(yīng)的溝槽 …

2016-5-11?·?-175-學(xué)術(shù)交流 》》 電子地圖制作方法與技術(shù)研究 安慶師范學(xué)院資源環(huán)境學(xué)院 朱超平 【摘要】本文主要從電子地圖的特點(diǎn)、應(yīng)用前景、電子地圖設(shè)計(jì)與制作、未來(lái)發(fā)展前景四個(gè)方面,總結(jié)前人對(duì)電子地圖的制作方法和技術(shù)的研究,比較不同方式制圖的優(yōu),2019-8-25?·?鏡頭的組成是透鏡結(jié)構(gòu),由幾片透鏡組成,一般有塑膠透鏡(plastic)玻璃透鏡(glass)。通常攝像頭用的鏡頭構(gòu)造有:1 P.2P. 1 G1 P. 1 G2P. 2G2P. 4G等。透鏡越多,成本越高；玻T鏡比塑膠貴。因此一個(gè)品質(zhì)好的攝像頭應(yīng)該是采用協(xié)離鏡頭,成像效果 ...

2014-6-23?·?該文章講述了光纖布拉格光柵(FBG)概念及制作方法講解. 光纖布拉格光柵(FBG)概念及制作方法講解： 1 介紹 FBG是Fiber Bragg Grating的縮寫(xiě),即光纖布拉格光柵。 在纖芯內(nèi)形成的空間相位周期性分布的光柵,其作用的實(shí)質(zhì)是在纖芯內(nèi)形成一個(gè)窄帶 ...,2019-7-30?·?摘要:針對(duì)晶體硅太陽(yáng)電池缺陷的檢測(cè)問(wèn)題,利用多種測(cè)試設(shè)備（EL、PL、Corescan等）,在電池制作的主要工序段（擴(kuò)散、鍍膜、印刷、燒結(jié)）對(duì)硅片和電池片進(jìn)行檢測(cè),歸納和總結(jié)了電池的各種典型缺陷的成因,利用這些檢測(cè)手段和分析結(jié)果,能夠及時(shí)有效地反饋生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷類(lèi)型,有利 …

代理機(jī)構(gòu) 北京中博世達(dá)商標(biāo)代理有限公司 代理人 申健 地址 100015 北京市朝陽(yáng)區(qū)酒仙橋路10號(hào) 摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供一種線柵偏振片的制作方法,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,能夠解決線柵偏振片制作過(guò)程中,工藝復(fù)雜、難度大、成本高的問(wèn)題。,2018-4-16?·?目前大部分以Cu為基體,具有可控性好、成本較低、易于轉(zhuǎn)移和規(guī)?；苽涞葍?yōu)點(diǎn), 但生長(zhǎng)的石墨烯具有較多的線缺陷。 滲碳析碳： 在制備單晶石墨烯方面更具優(yōu)勢(shì),但目前采用昂貴的單晶金屬作為基體,而且石墨烯難以轉(zhuǎn)移, 限制了該方法的進(jìn)一步應(yīng)用。

2018-6-12?·?本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)領(lǐng)域,特別地,涉及一種溝槽型聯(lián)柵晶體管及其制作方法?！颈尘凹夹g(shù)】溝槽型聯(lián)柵晶體管也簡(jiǎn)稱(chēng)為UPGAT,是一種新型的功率器件,溝槽型聯(lián)柵晶體管同時(shí)具有MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),其主要特點(diǎn)為：導(dǎo)通電阻小,動(dòng)態(tài)損耗小,開(kāi)關(guān)速度快,二次擊穿耐壓高,功率 …,2014-7-1?·?天眼查網(wǎng)為您提供一種VDMOS器件的元胞結(jié)構(gòu)及其制作方法信息,該是無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司的注冊(cè),本發(fā)明公開(kāi)了一種VDMOS器件的元胞結(jié)構(gòu)及其制作方法,其中,...查詢(xún)上天眼查。

2019-7-15?·?作者：朱黎 在高功率和性?xún)r(jià)比的推進(jìn)下,大尺寸光伏產(chǎn)品正在形成大氣候。 去年下半年以來(lái),在越來(lái)越多元的技術(shù)搭配下,大尺寸化加速進(jìn)行,以實(shí)踐驗(yàn)證技術(shù),以方法推動(dòng)趨勢(shì)。另一方面,大尺寸也面臨多重挑戰(zhàn),其中規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)能否統(tǒng)一受行業(yè)關(guān)注。,2 天前?·?為了以的成本解決 EMC 問(wèn)題,必須在功能設(shè)計(jì)的同時(shí),進(jìn)行 EMC 設(shè)計(jì),并選用正確的方法。 現(xiàn)在,產(chǎn)品設(shè)計(jì)的已從功能設(shè)計(jì)和邏輯設(shè)計(jì),轉(zhuǎn)移到 EMC 設(shè)計(jì)上來(lái)了。 進(jìn)行電磁兼容設(shè)計(jì)的正確方法,應(yīng)做到：標(biāo)本兼治,重在治本。

2009-12-16?·?多晶硅太陽(yáng)能電池制作工藝 眾所周知,利用太陽(yáng)能有許多優(yōu)點(diǎn),光伏發(fā)電將為人類(lèi)提供主要的能源,但目前來(lái)講,要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng),被廣大的消費(fèi)者接受,提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,降低生產(chǎn)成本應(yīng)該是我們追求的目標(biāo)。,2018-12-18?·?主要優(yōu)點(diǎn)是每個(gè)板的測(cè)試成本低、數(shù)字與功能測(cè)試能力強(qiáng)、快速和徹底的短路與開(kāi)路測(cè)試、編程固件、缺陷覆蓋率高和易于編程等。 也稱(chēng)為自動(dòng)視覺(jué)檢測(cè),是基于光學(xué)原理,綜合采用圖像分析、計(jì)算機(jī)和自動(dòng)控制等多種技術(shù),對(duì)生…

2019-4-3?·?MOS管的種類(lèi)和簡(jiǎn)要應(yīng)用,MOS是我們常說(shuō)的NMOS,PMOS,那么它與而二極管和三極管不同,二極管只能通過(guò)正向電流,反向截止,不能控制,三極管通俗的講,是小電流放大成受控的大電流,MOS管是小電壓控制電流的,MOS管的輸入電阻 ...,2019-8-21?·?主要優(yōu)點(diǎn)是每個(gè)板的測(cè)試成本低、數(shù)字與功能測(cè)試能力強(qiáng)、快速和徹底的短路與開(kāi)路測(cè)試、編程固件、缺陷覆蓋率高和易于編程等。缺點(diǎn)是,需要測(cè)試夾具、編程與調(diào)試時(shí)間、制作夾具的成本較高,使用難度大等問(wèn)題。 3、PCB板功能測(cè)試

2019-9-19?·?基坑護(hù)欄的制作以及安裝方法 1,臨邊防護(hù)欄桿采用鋼管欄桿及欄桿柱均采用Φ48* 3.5mm的管材,以扣件或電焊固定。 2,防護(hù)欄桿由二道橫桿及欄桿柱組成,上橫桿離地高度為1.2米,下橫桿桿離地高度為0.6米,立桿總長(zhǎng)度1.7米,埋入地下0.5 ...,2020-3-12?·?主流的OLED制作一般都采用了蒸鍍的工藝。這一技術(shù)主要面臨著良品率和成本的問(wèn)題。而噴墨打印技術(shù)的OLED面板制造工藝相比于蒸鍍工藝,是降低生產(chǎn)成本的一個(gè)可行 其實(shí)國(guó)內(nèi)外很多面板廠商很早開(kāi)始研發(fā)噴墨印刷技術(shù),包括三星,LG, 京東方

2009-11-4?·?名稱(chēng)：復(fù)合發(fā)電柵的制作方法 技術(shù)領(lǐng)域： 本實(shí)用新型涉及發(fā)電技術(shù),特別是一種形狀象柵欄的復(fù)合發(fā)電柵。 背景技術(shù)： 海洋總在洶涌,有取之不盡的能量,利用海流能、海浪能發(fā)電不產(chǎn)生廢 物、無(wú)污染,海流能、海浪能和太陽(yáng)能、風(fēng)能一樣,利用〗介值高且環(huán)保。,2019-8-16?·?轉(zhuǎn)載自徐云飛/龐鈞文 國(guó)君電新 導(dǎo)讀：縱覽半導(dǎo)體硅片的發(fā)展脈絡(luò),光伏硅片大型化是趨勢(shì),大硅片能夠打破當(dāng)前光伏降本瓶頸,助力行業(yè)在未來(lái)2-3年成本下降,維持行業(yè)"增持"評(píng)級(jí)。 1、光伏硅片尺寸來(lái)自半導(dǎo)體,我們認(rèn)為尺寸變大是趨勢(shì)。

2015-9-2?·?太陽(yáng)能電池的柵線結(jié)構(gòu)的制作方法 【技術(shù)領(lǐng)域】 [0001]本實(shí)用新型屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,具體涉及到一種太陽(yáng)能電池的柵線結(jié)構(gòu)。【背景技術(shù)】 [0002]現(xiàn)在傳統(tǒng)的太陽(yáng)能電池正面電極制造工藝普遍采用的是絲網(wǎng)印刷技術(shù),采用的漿料是昂貴銀漿,使得太陽(yáng)能電池的制造成本居高不下。,2011-7-6?·?光柵的制作方法 一般說(shuō)來(lái),任何一種具有空間周期性的衍屏的光學(xué)元件都可以稱(chēng)為光柵, 如果在一塊鍍鋁的光學(xué)玻璃毛胚上刻劃一系列等寬, 等距而平行的狹縫是透射 光柵。